隨著全球云提供商增加內部 AI ASIC,谷歌也在加倍努力。據《商業(yè)時報》報道,除了推進 TPU v7p (Ironwood) 外,該公司還押注于 Axion——其首款基于 Arm 的 CPU——據報道,該公司基于臺積電的 3nm 節(jié)點構建,并得到了代工廠附屬公司 Global Unichip 的設計支持。臺積電董事長 C.C. Wei 在上周的財報電話會議上暗示了強勁的人工智能驅動需求,《商業(yè)時報》指出,除了 NVIDIA 服務器之外,谷歌云項目也將推動這家代工巨頭最大的數據中心增長。報告補充說,協助設
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谷歌 Arm CPU Axion 臺積電 3nm 創(chuàng)意電子
據臺媒《工商時報》報道,有芯片設計業(yè)者透露,臺積電3nm與5nm產能持續(xù)滿載,產能利用率(UTR)明年上半年將達到近100%水平, 其中3nm制程訂單更是被大廠訂滿,比如手機芯片巨頭高通、蘋果、聯發(fā)科,在高性能計算(HPC)領域則有英偉達Rubin等加持,市場需求也超預期。3nm將成為臺積電營收關鍵驅動力。報道稱,目前多家廠商新一代旗艦級手機芯片競爭已經開打,蘋果A19系列、高通第五代驍龍8至尊版、聯發(fā)科天璣9500均是基于臺積電N3P制程打造。此外,還有多新款PC處理器,比如蘋果M5、高通驍龍X2 El
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臺積電 3nm 5nm
據臺媒《工商時報》9月27日報道,臺積電3nm與5nm制程的產能利用率(UTR)預計在明年上半年接近100%。其中,3nm制程訂單已被蘋果、高通、聯發(fā)科等大廠訂滿,市場需求超出預期。在高性能計算(HPC)領域,英偉達Rubin GPU、AMD MI355X等芯片也將采用3nm制程,成為臺積電營收增長的重要驅動力。供應鏈透露,臺積電5nm以下先進制程同樣供不應求,多家大廠爭相投片,預計明年上半年產能將接近滿載。這為臺積電提供了明年報價調漲的底氣,以緩解海外工廠運營對毛利率的稀釋影響。此外,臺積電美國晶圓廠管
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臺積電 3nm 5nm
全球晶圓代工企業(yè)圍繞2nm制程的競爭愈演愈烈,據報道,臺積電已將2nm制程晶圓價格定為每片約3萬美元,并對所有客戶實行統一價格。據半導體行業(yè)消息人士透露,臺積電宣布,計劃將2nm制程的生產價格定為每片3萬美元,且對所有客戶實施“不打折、不議價”的策略。這比目前的3nm制程價格高出約50%-66%。臺積電2nm制程良率快速攀升得益于存儲芯片領域的技術優(yōu)化,臺積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風險試產以來,良率從去年底的60%快速攀升至當前的90%(256Mb SRAM)。供應鏈傳出,最近臺積電位于高雄
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臺積電 2nm 3nm 三星
雖然英特爾已從 18A 轉向 14A 進行戰(zhàn)略權衡,據報道三星通過優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協,根據 ZDNet。同時,Chosun Biz 透露,這家陷入困境的半導體巨頭還計劃通過將這些節(jié)點的價格定價比臺積電低約 30%來提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國競爭對手無法企及的領域。Chosun Biz 報道稱,三星的 4 納米工藝旨在通過 SF4U 提升約 20%的能效來贏得訂單。據三星稱,SF4U 是一款高端 4 納米變體,采用光學縮小技術來
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三星 3nm 晶圓代工
據臺媒《工商時報》報道,臺積電為滿足客戶對美國制造需求的增長,正在加速推進其亞利桑那州晶圓廠的建設。供應鏈透露,臺積電亞利桑那州二廠(P2)已完成基建,預計將在2027年實現3nm制程的量產。目前,臺積電正根據客戶對AI芯片的強勁需求,加快量產進度,整體時間表較原計劃有所提前。供應鏈分析指出,臺積電此舉旨在回應客戶需求,并應對美國政府關稅政策的影響。據悉,亞利桑那州二廠的機臺最快將在明年9月進場安裝,首批晶圓預計在2027年下線。通常情況下,晶圓廠在完成基建后,還需要約兩年時間進行內部廠務調整,臺積電的推
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臺積電 3nm 晶圓廠
據 Mydrivers 稱,特斯拉援引 Not a Tesla App 稱,據報道,特斯拉正準備與臺積電作為其代工合作伙伴生產其下一代 FSD(全自動駕駛)芯片——內部稱為 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所說,有傳言稱特斯拉計劃使用臺積電的 3nm (N3P) 工藝。正如報告所強調的那樣,該芯片預計將提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能,與 HW4 相比,代際飛躍了 4 到 5 倍。據韓國媒體 Ma
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特斯拉 臺積電 3nm HW5芯片
雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點上獲得了牽引力(據報道來自任天堂的訂單),但它繼續(xù)在先進的 3nm 水平上苦苦掙扎。據韓國媒體 Chosun Biz 報道,即使經過三年的量產,其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任,Chosun Biz 報道稱,谷歌的 Tensor G5 正在轉向臺積電的 3nm,遠離三星。正如 9to5Google 所強調的那樣,據報道,這家搜索引擎巨頭已在未來 3 到 5 年內與臺積電鎖定了 Tenso
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三星 3nm 良率 臺積電
5 月 27 日消息,小米創(chuàng)辦人、董事長兼 CEO 雷軍今日早發(fā)文:“玄戒 O1 最高主頻 3.9GHz,這足以說明我們芯片團隊已經具備相當強的研發(fā)設計實力?!惫俜綌祿@示,小米玄戒
O1 處理器安兔兔跑分超過了 300 萬分,擁有 190 億個晶體管,采用了全球最先進的 3nm 工藝,芯片面積僅
109mm2。架構方面,小米玄戒 O1 采用了十核四叢集 CPU,擁有雙超大核、4 顆性能大核、2 顆能效大核、2 顆超級能效核,超大核最高主頻
3.9Hz,單核跑分超 3000 分,多核跑分超 9
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小米 雷軍 芯片 玄戒 O1 處理器 ARM 3nm
今天,小米集團董事長雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1已開始大規(guī)模量產,搭載小米玄戒O1兩款旗艦,小米手機15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋果、高通、聯發(fā)科后,全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)。今年2月,聯發(fā)科技CEO蔡力行第四季度財報會議上表示,小米自研手機SoC芯片或將外掛聯發(fā)科基帶芯片。根據他的透露,ARM和小米正在促成一項AP芯片的研發(fā)項目,聯發(fā)科也有參與,并提供調制解調器芯片。此前據外媒WCCFtech報道,
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小米 自研 3nm 芯片
小米最近在宣布其自主開發(fā)的智能手機 SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關注。據中國媒體《明報》報道,小米首席執(zhí)行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露,該芯片采用 3nm 工藝制造,這標志著中國公司首次成功實現 3nm 芯片設計的突破。這家中國科技巨頭正在加大其芯片開發(fā)力度。據《華爾街日報》報道,小米計劃在至少 10 年內投資近 70 億美元用于芯片設計。創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官雷軍周一在微博上發(fā)文透露了這一投資數字。報告指出,小米發(fā)言人補充說,這項 500 億元人民幣(相當于 69.4 億美元)的投資
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小米 3nm SoC
5月20日消息,雷軍之前已經宣布了小米自研芯片玄戒O1,而它可能只是一個代號,最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設計的朋友應該都清楚,廠商在規(guī)劃一款芯片設計時,必然會有多款相關版本的衍生,所以這更像是一個大類,而非具體到一個型號。有網友發(fā)現,Geekbench 6.1.0上出現了小米新機的跑分成績,而主板信息顯示為"O1_asic",從跑分上看,該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125,比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些,可以說表現亮眼。跑分頁面還顯示,該處理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超驍龍8 Gen 3
5月19日,雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋果、高通、聯發(fā)科后,全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)?;仡櫫诵∶椎谝淮匝惺謾CSoC“澎湃S1”的失敗經歷,從2014年9月立項,到2017年正式發(fā)布,“因為種種原因,遭遇挫折”,暫停了SoC大芯片的研發(fā),轉向了“小芯片”路線。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線增強芯片等“小芯片”,在不同技術賽道中慢慢積累經驗和能力。直到2021年初,小米宣布造車的同時,還在內部重啟“大芯片
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小米 玄戒 3nm SoC 芯片
瑞薩電子將設計印度首款3nm 芯片
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3nm 瑞薩
據外媒wccftech報道,高通計劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預計采用臺積電第三代3納米節(jié)點制程N3P打造,相較于前代產品,其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU,其中NPU的處理速度預計達到100TOPS,是Snapdragon X Elite NPU性能(45TOPS)的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內存容量增加至16MB,使
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高通 驍龍 3nm
3nm介紹
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